三星展示30纳米制程64Gb Nand Flash芯片(图)

三星展示30纳米制程64Gb Nand Flash芯片,看后面那位男士还是一脸开心的样子。

   据国外媒体报道，三星日前表示已率先全球开发出30纳米制程64Gb Nand Flash，一举突破了原有的“40纳米障碍”，也再度验证了半导体集成度每年增长2倍的“黄昌圭法则”。目前全球尚无30纳米制程设备，因此该产品是三星利用原有的60纳米制程设备进行开发，并以CTF技术为基础，搭配三星独创的SaDPT技术研发而成。30纳米制程技术是厚度只有头发厚度的4千分之一的超微细技术。

   三星希望凭借该产品在2009～2011年的3年间，创造出200亿美元的市场，未来三星电子也将制作出采用该产品的128GB记忆卡。如此一来，便可在一张记忆卡储存DVD画质的电影80部，以及40个人左右的所有DNA数据。